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多任務實時操作系統RTX51 Tiny的概念和應用問題探究

電子設計 ? 2020-09-03 17:48 ? 次閱讀

  來源:單片機與嵌入式系統應用,作者:賈水英 , 楊建紅 , 謝宏偉

引言

μVision是德國Keil公司開發的單片機IDE軟件,最初主要用于8051系列單片機,目前也有支持ARM系列單片機的專用版本MDK-ARM。RTX51是其自帶的運行于8051系列單片機上的小型多任務實時操作系統,可用來設計具有實時性要求的多任務軟件。 RTx51有2個版本:RTX51 Tiny和RTX51 Full。RTX51 Tiny是RTX51 Full的子集。RTX51 Tiny自身僅占用900字節左右的程序存儲空間,可以很容易地運行在沒有外部擴展存儲器的8051單片機系統上。

目前在8051系列單片機上使用多任務實時操作系統,絕大多數應用都選擇了RTX51 Tiny。本文就其在實際應用中的一些概念和具體問題進行了探討。RTX51Tiny內核的版本為1.06,C51編譯器版本為7.50。

1 RTX51 Tiny中有沒有主程序的問題

一般來說,C語言中主程序就是指main()函數。參考文獻[3]稱RTX51 Tiny沒有主程序,其實這是一種誤解。實際上RTX51 Tiny的主程序是以匯編代碼的形式位于Rtx51tny.A51文件中,在程序的最后:

多任務實時操作系統RTX51 Tiny的概念和應用問題探究

在通常的應用中,一般都是將RTX51 Tiny內核做成lib文件,使用的時候直接調用相應的系統函數即可,在應用程序中沒有體現,用戶也無需關心。這造成了一部分用戶的誤解,以為RTX51沒有main()函數。

另外,參考文獻[4]提到,使用RTX51 Timy時用戶程序中不需要包含main()函數,它會自動從任務0開始運行;如果用戶程序中包含main()函數,則需要利用os_cre- ate_task()函數來啟動RTX51實時操作系統。這段話前一部分是正確的,前文也對此做了解釋。但后一部分則值得商榷。在RTX51操作系統中,是存在main()函數的,只不過存在于庫文件RTX51tny.lib之中,用戶的應用程序中不能再包含main()函數。任務0為應用程序的入口,所有其他任務都在任務0中創建。

2 存儲空間占用

RTX51tiny操作系統小巧精悍,能極大地提高程序的可讀性及可維護性,但也占用了一定的存儲空間。這是一種以空間換取性能的辦法。由于 RTX51操作系統占用了存儲空間,如果不外擴存儲器,則至少需要8052系列以上的單片機。在Keil自帶的幫助文件GS51.PDF中,對比做了詳細的介紹。其中有關存儲空間方面的信息是:RAM需求為7字節DATA,外加每個任務占用3字節IDATA空間;代碼量(即ROM)約900字節。

3 關于使用os_wait()函數定時的問題

RTX51 Tiny內核中,TIMESHARING的默認值為5,以外部時鐘振蕩器頻率為12 MHz計算,任務輪轉時間為50 ms。如果想定時1個30 ms的時間間隔,在任務比較重時,使用os_wait(K_TMO,3,0)將得不到準確的結果。因為別的任務的執行時間已經占據了1個任務的輪轉時間 50 ms,超出了20 ms。如果任務比較多,同時任務的負擔都比較重,相應的誤差時間會更大。

RTX51 Tiny使用os_wait()函數作定時,只有當系統任務較輕時,使用os_wait(K_IVL,count,0)和 os_wait(K_TMO,count,0)才能達到一致的效果;而在任務較重時,使用這2個函數所得到的結果會有很大差別。參考文獻[5]對此做了詳細介紹,此處只作簡單補充。

事實上,用戶程序的運行是陣發性的,在一段時間內任務會比較繁忙,而在另一段時間可能會處于空閑狀態。如果使用 os_wait(K_TMO,count,0)函數進行定時,則在不同的時間段會得到不同的結果。所以,要實現較為精確和穩定的定時,最好還是使用 os_wait(K_IVL,count,O)函數,而不是os_wait(K_TMO,count,O)。除非延時時間很長,如超過了所有任務的輪轉時間總和,os_wait(K_IVL,count,O)和os_wait(K_TM0,count,O)的延時效果才會相同。

4 INT_CLOCK的設置與延時計算

RTX5 Tiny中與延時相關的2個參數為INT_CLOCK和TIMESHARING。先來看Rtx5ltny.A51源程序中的一段:

從上面的程序段可以看出,RTX51 Tiny內核使用Timer0作為硬件定時器,Timer0工作在方式1(16位計數方式)。因此,如果想增加定時器溢出時間,可以修改INl_CLOCK的定義。但不能無限制地增大,最大只能到216一1,即65 535。如果單片機采用12 MHz的晶振,則每次定時器溢出的最長時間為65.535ms。如果INT_CLOCK的定義值超過了這個數據,并不能達到預期的結果。例如,把 INT_CLOCK定義為100 000(Oxl86AOH),那么實際上INT_CLOCK為34 464(Ox86AOH)。本來是想定時100 ms,實際上得到的卻是34.4 ms。因此,在設置具體延時時間時必須仔細計算。

系統的任務輪轉時間等于每次定時器溢出時間與TIMESHARING的乘積。因此,要將系統的任務輪轉時間設置為特殊的時長,可以通過INT_CLOCK與TIME-SHARING兩個參數的不同組合來實現。不過在一般的應用當中,都是采用其系統的默認值,無須修改。

5 修改內核配置的基本過程

RTX51TNY.A51為RTX51 Tiny的核心程序,包括所有的函數定義,不需要改動。通常改動的是配置程序CONF_TNY.A51,主要內容如下。

INT_REGBANK EQU 1:定時器中斷時使用的寄存器組默認值是寄存器組1,一般無需改動。

INT_CLOCK EQU 10000:硬件定時器零TimerO的溢出時間,即1個滴答(tick)的時間長度。默認值是10 000個機器周期。對于傳統的MCS51單片機來說,1個機器周期為12個時鐘周期。如果采用12 MHz的晶振,那么每個機器周期將為lμs,1個滴答的時長為10 ms。

TIMESHARING EQU5:定義時間片輪轉(round-robin timeout)時間,默認值為5個滴答(1個滴答為Tim—erO的1次溢出)。如果INT_CLOCK為10 000,時鐘頻率為12 MHz,則1個時間片的輪轉時間為50 ms,即每個任務每次最大可獲得的執行時間為50 ms。如果TIME-SHARING定義為O,則禁止時間片輪轉。

RAMTOP EQU 0FFH:定義CPU堆??墒褂玫淖罡逺AM地址,默認值為地址OFFH(256-1)。FREE_STACK EQU 20:配置堆棧大小為20字節,默認值為20(經常需要改動)。用戶可根據自己的實際需要進行修改,一般情況下需要配置或修改的內容主要有 INT_CLOCK、TIMESHAR-ING、FREE_STACK。

6 其他需要注意的問題

①堆棧的大小要設置得合適,太大浪費資源,太小又會出現堆棧錯誤。在系統運行中,有時會發現程序總在某一處死循環,而從邏輯上卻常常分析不出問題之所在,很有可能是堆棧溢出。在conf_tny.a51中有個非常重要的宏STACK_ERROR,其源程序如下:

通過仿真發現,程序會在此處死循環。

(Conf_tny.a51)FREE_STACK EQU 20:配置堆棧大小為20字節,默認值為20。選擇合適的堆棧大小,即設置合適的FREE_STACK值,可達到最佳效果。

②同堆棧一樣,輪轉時間片的長度也不宜設置得過大或過小。設置得過大,則一些持續時間較短的事件無法響應。如果輪轉時間設置得過小,則CPU的很大一部分功能被消耗在任務切換上了;如果任務多,處理時間長,無疑會無形中增加系統的負擔。需要根據具體的需要權衡。

結語

本文從具體的內核分析出發,對使用RTX51 Tiny操作系統時的一些概念和應用中的問題進行了闡述和澄清,使大家對RTX5l Tiny有更為清晰的認識。RTX51 Tiny微操作系統的使用,可以使用戶把更多的精力關注在應用本身而無需考慮復雜的底層驅動。而且整個應用軟件系統結構清晰,維護方便,可節省大量的時間和人力。當程序比較復雜時,它的優點就體現得更明顯。然而,由于硬件資源及其自身的限制,對于功能復雜、要求較高的應用來說,就顯得有些吃力了,用戶需要自己編寫功能擴展程序。無論如何,它仍然是8位單片機應用中操作系統的首選。

責任編輯:gt

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在對單片機操作時通常有三個步驟:首先是系統時鐘選擇,其次是單片機外設初始化,最后是主程序編寫。要點亮LED燈時,同樣也...
發表于 09-03 19:10 ? 101次 閱讀
意法半導體STM8點亮LED教程分享!

北斗短報文功耗和續航計算軟件_V10

經常有用戶詢問我們,北斗短報文設備的電池能夠續航多少天呢?經過好幾次幫用戶計算后,我決定設計這個小軟件來徹底解決用戶的功...
發表于 09-03 17:07 ? 103次 閱讀
北斗短報文功耗和續航計算軟件_V10

ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

標準的參數搜索 易于訪問密鑰產品參數 部件號搜索用于直接訪問特定的產品 數據表的下載離線咨詢 來采樣和購買 最喜歡的部分數字管理 產品功能分享通過電子郵件或社交媒體 適用于Android?或iOS?操作系統 在Wandoujia應用程序商店,為中國用戶提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS設備上使用的手機應用程序提供通過www.st.com在線產品組合中的一個用戶友好的替代搜索,驅動用戶使用以及便攜式設備順利和簡單的導航體驗。參數搜索引擎允許用戶快速識別出最適合其應用合適的產品。此應用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
發表于 05-21 07:05 ? 56次 閱讀
ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二極管產品查找程序

,零件編號和產品 技術數據表下載和離線咨詢一系列的搜索功能 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表收藏欄目 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 可在安卓?和iOS?應用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索使用便攜式設備的ST二極管的產品組合。您可以輕松地定義設備最適合使用參數或一系列的搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
發表于 05-20 18:05 ? 45次 閱讀
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二極管產品查找程序

ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM產品的取景器為Android和iOS

引導搜索 部分號碼搜索能力 主要產品功能發現 數據表下載和離線咨詢 產品功能分享通過電子郵件或社交媒體 樣品訂購所選產品的 主屏幕上的語言選擇 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半導體串行EEPROM組合最快和最明智的方式使用智能電話或平板。
發表于 05-20 17:05 ? 40次 閱讀
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM產品的取景器為Android和iOS

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

或產品號的產品搜索能力 技術數據表下載和離線咨詢 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 適用于Android收藏節?和iOS?應用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索的ST功率MOSFET產品組合使用便攜設備。您可以輕松地定義設備最適合使用參數搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
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ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和傳感器產品查找用于移動設備

于Android和iOS電話移動應用 友好的用戶界面 的直觀的產品的選擇: MEMS和傳感器 評估工具 應用 參數搜索使用多個過濾器 部件號搜索 訪問技術文檔 從ST經銷商在線訂購 通過電子郵件或社交媒體最喜歡的部分數字管理經驗分享 支持的語言:英語(中國,日本和韓國即將推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移動應用程序的Android和iOS,提供用戶友好的替代通過MEMS和傳感器網絡產品組合搜索,驅動用戶一起順利和簡單的導航體驗。...
發表于 05-20 17:05 ? 54次 閱讀
ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和傳感器產品查找用于移動設備

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
發表于 04-18 20:05 ? 213次 閱讀
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) I2C兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5175是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5175的游標設置可通過I2C兼容型數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5175不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展...
發表于 04-18 19:35 ? 38次 閱讀
AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) SPI兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5174是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。 該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5174的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5174不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業...
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AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標稱電阻容差誤差(電阻性能模式):±1%(最大值) 20次可編程游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 分壓器溫度系數:5 ppm/°C +9V至+33V單電源供電 ±9V至±16.5V雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 下載AD5292-EP (Rev 0)數據手冊(pdf) 溫度范圍:?55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/12616 DSCC圖紙號產品詳情AD5292是一款單通道1024位數字電位計1,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件能夠在寬電壓范圍內工作,支持±10.5 V至±16.5 V的雙電源供電和+21 V至+33 V的單電源供電,同時確保端到端電阻容差誤差小于1%,并具有20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291和AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機...
發表于 04-18 19:31 ? 72次 閱讀
AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校準的標稱電阻容差:±1%(電阻性能模式) 20次可編程 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 溫度系數(分壓器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 單電源供電 ±9 V至±16.5 V 雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 產品詳情AD5291/AD5292屬于ADI公司的digiPOT+? 電位計系列,分別是單通道256/1024位數字電位計1 ,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件的工作電壓范圍很寬,既可以采用±10.5 V至±16.5 V雙電源供電,也可以采用+21 V至+33 V單電源供電,同時端到端電阻容差誤差小于1%,并提供20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291/AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機會。在20-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將游標位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5291/AD52...
發表于 04-18 19:31 ? 56次 閱讀
AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 70次 閱讀
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 66次 閱讀
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄...
發表于 04-18 19:29 ? 165次 閱讀
AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
發表于 04-18 19:29 ? 145次 閱讀
AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
發表于 04-18 19:28 ? 178次 閱讀
AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
發表于 04-18 19:28 ? 163次 閱讀
AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁面寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se周期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 19:13 ? 132次 閱讀
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業溫度范圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
發表于 04-18 19:13 ? 928次 閱讀
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
發表于 04-18 19:13 ? 102次 閱讀
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 19:13 ? 130次 閱讀
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI